Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    56 left arrow 60
    Wokół strony -7% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    20.1 left arrow 6.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.5 left arrow 5.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 14900
    Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    60 left arrow 56
  • Prędkość odczytu, GB/s
    6.8 left arrow 20.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    5.4 left arrow 10.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1411 left arrow 2455
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania