RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Porównaj
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
65
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
65
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2317
1836
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link