RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
122
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
122
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2317
1411
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6DFR8A
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link