RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
74
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
74
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2317
1616
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link