RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
61
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,410.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,230.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,410.6
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
754
2104
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link