RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Porównaj
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
2231
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link