RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
3356
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link