RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
2104
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R334G1339U2S 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link