RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
2711
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link