RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Porównaj
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
1768
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link