RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Porównaj
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
1806
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link