RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
75
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
30
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2628
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link