RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
75
Wokół strony -134% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
4200
Wokół strony 6.1 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
32
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
25600
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3516
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link