RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
75
Wokół strony -226% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3081
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link