RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
75
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
30
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2732
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link