RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
75
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
26
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2497
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link