RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
94
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
94
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
1390
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link