RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
75
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
30
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
3255
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link