RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
75
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
22
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2666
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link