RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
101
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
101
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
1382
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link