RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
75
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
42
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2427
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link