RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
75
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
64
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2205
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link