RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Teclast TLD416G26A30 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teclast TLD416G26A30 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
75
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
36
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2719
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link