RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
75
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
28
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2920
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link