RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
65
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
65
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
1824
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link