RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
3371
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Inmos + 256MB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link