RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
3437
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link