RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
3434
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GNT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link