RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
3372
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link