RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
50
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
21
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
3216
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link