RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
50
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
21
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
4170
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link