RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
50
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
25
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2994
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link