Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB

Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.2 left arrow 11.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.0 left arrow 7.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 12800
    Wokół strony 2% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 29
    Wokół strony -4% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    29 left arrow 28
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.2 left arrow 11.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.0 left arrow 7.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    25600 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2950 left arrow 1920
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania