RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
59
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
3448
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link