RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
23.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
4124
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link