RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
2945
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link