Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

Wynik ogólny

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Wynik ogólny

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

4 14.9

Średnia wartość w badaniach

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

26 59

Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.5 1,855.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 5300

Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

59 26
Prędkość odczytu, GB/s

4,168.0 14.9
Prędkość zapisu, GB/s

1,855.7 11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps

5300 17000

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

680 2585

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Kingston KKN2NM-MIE 4GB

Kingston KKN2NM-MIE 4GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB