RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
59
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
3061
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link