RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
2659
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link