RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
59
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
3704
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link