RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
59
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
2633
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link