RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
2655
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link