RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
90
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
90
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
1743
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link