RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs A-DATA Technology 11137401 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology 11137401 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology 11137401 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
40
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1921
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology 11137401 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link