RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
35
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2237
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link