RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
72
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
72
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
4.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1438
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link