RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
64
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
17.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
64
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2194
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link