RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3162
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link