RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2912
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link