RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3046
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link